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成强; 向兵; 张奇惠; 王渊旭;
河南大学物理与电子学院;
激光二极管; 腔体参数; 有源区长度; 优化设计;
机译:通过优化InGaN / GaN有源区实现500 nm以上的InGaN激光二极管
机译:基于有源区优化的紫色InGaN激光二极管大功率低阈值电流仿真
机译:635 Nm红色激光二极管Gainp / Algainp有源区的生长参数优化
机译:大功率670 nm GalnP / AlGalnP激光二极管有源区的优化设计
机译:ovel基于InP的高功率,高效率,单量子阱(SQW)有源区二极管激光器,发射功率为1.5微米。
机译:基于异质有源区设计的单片可广泛调谐的量子级联激光器
机译:GaN / alGaN多量子阱激光二极管有源层结构优化的数值研究
机译:数字合金成分分级技术在应变InGaas / Gaas / alGaas二极管激光有源区的应用
机译:用于优化的有源区应变的应变型包层和改善的激光二极管性能
机译:由激光二极管泵浦的固态激光器通过改变腔体长度来控制辐射的偏振状态。
机译:激光二极管调制器-具有由波长相等或更短的泵浦光泵浦的激光有源区。优选地,第二激光束。
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