机译:635 Nm红色激光二极管Gainp / Algainp有源区的生长参数优化
Ferdinand-Braun-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik (FBH), Custav-Kirchhoff-Strasse 4, D-12489 Berlin, Germany;
a3. metalorganic vapor phase epitaxy; b2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials; b3. laser diodes;
机译:具有低阈值和压缩应变的MQW有源层的650 nm GaInP / AlGaInP激光二极管
机译:635 nm拉伸应变GaInP激光二极管的优化
机译:635 nm拉伸应变GaInP激光二极管的优化
机译:高性能AlAs原生氧化物限制的GaInP / AlGaInP 635 nm激光二极管
机译:λ= 808 nm的高功率磷化铟镓砷有源二极管激光器。
机译:635 nm二极管激光的低水平激光治疗影响正畸微型放大器的稳定性:一项随机的临床裂口试验
机译:臭氧和二极管激光(635nm)对颌骨拱 - 随机临床对照试验中畸形疼痛的影响