机译:块状GaN上的350nm波段GaN / AlGaN多量子阱激光二极管
机译:具有AlGaN / GaN短超晶格插入结构的绿色InGaN / GaN多量子阱发光二极管的改进的热稳定性
机译:GaN基紫激光二极管中GaN / AlGaN应变层超结构的高分辨率扫描电子显微镜观察
机译:低阈值GaN / AlGaN双异质结构二极管激光器的有源层和腔设计参数的优化
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:使用多层堆叠的AlGaN / GaN结构改善紫外发光二极管的电流扩展性能
机译:具有AlGaN / GaN / AlGaN量子阱结构的电子阻挡层的蓝色InGaN / GaN发光二极管的优势
机译:具有亚稳态GaInassb有源层和alGaassb包层的3倍微米发射双异质结构二极管激光器