首页> 中文期刊> 《河南理工大学学报(自然科学版)》 >直流磁控溅射法制备γ-Al2O3薄膜的介电特性

直流磁控溅射法制备γ-Al2O3薄膜的介电特性

     

摘要

高密度储能电容器是当前研究的热点,为探究氧化铝薄膜在高密度电容器中潜在的应用,采用直流磁控溅射方法制备了氧化铝薄膜,薄膜质地均匀致密,表面平整光滑.X射线衍射谱分析表明制备的薄膜属于γ晶型的氧化铝.薄膜具有优良的介电性能,氧化铝薄膜电容器理论储能密度约为7.6 J/cm3.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号