首页> 中国专利> 一种基于磁控溅射的高介电电容器薄膜制备方法

一种基于磁控溅射的高介电电容器薄膜制备方法

摘要

本发明公开了一种基于磁控溅射的高介电电容器薄膜制备方法,通过真空射频磁控溅射技术在聚合物电容器薄膜表面沉积高介电常数层,利用高介电常数层的高介电常数提高薄膜整体的介电常数,并且不对聚合物电容器薄膜原有的性能造成影响,从而提高复合薄膜的储能密度。

著录项

  • 公开/公告号CN108962593A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201810788762.0

  • 发明设计人 李琦;成桑;何金良;周垚;曾嵘;

    申请日2018-07-18

  • 分类号

  • 代理机构北京汇信合知识产权代理有限公司;

  • 代理人戴凤仪

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园1号

  • 入库时间 2023-06-19 07:35:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G4/06 申请日:20180718

    实质审查的生效

  • 2018-12-07

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号