中频磁控溅射Y掺杂制备HfO2薄膜及其介电性能研究

摘要

随着现代集成电路的发展,传统的SiO2材料将不能适应现代工艺的需要.人们就提出了要以其他具有高介电常数的材料来代替SiO2,高K氧化物材料成为这一领域热门研究方向.HfO2材料作为SiO2最好的替代物,与硅基电路集成时有良好的兼容性.相比较于传统的铁电材料,经过特殊处理的HfO2基薄膜同样具备铁电性.这样,传统的铁电材料有望突破制约非易失性铁电存储器发展的材料瓶颈.