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周元元; 陈兵兵; 程莹; 范程华; 鲁世斌;
合肥师范学院电子信息工程学院,安徽合肥230601;
死区补偿; 电压磁链; 补偿策略; IGBT;
机译:沟槽屏蔽平面栅极IGBT(TSPG-IGBT),具有自偏置PMOS,实现低导通状态电压和低饱和电流
机译:成功切换3300 V级IGBT,具有5V栅极电压,如东京大学,实现硅IGBT的性能改进
机译:使用具有反向耐压IGBT的矩阵压实机的实用技术-可直接从交流电压直接输出任意电压的功率转换装置的新概念通过反向阻断IGBT实现
机译:通过RC-IGBT结构从SJ-MOSFET到IGBT的桥接在单个芯片解决方案中实现600V级SJ-RC-IGBT的概念
机译:15 kV SiC IGBT实现中压功率转换
机译:一种算法检测和降低药物治疗复杂性的算法及其技术实现
机译:基于CpLD的IGBT死区补偿电路设计
机译:用于脉冲功率应用的mOsFET和IGBTs的评估
机译:IGBT参数识别方法,死区补偿方法和逆变器
机译:高功率晶体管(IGBT)的死区补偿装置,可防止电流波动
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