IGBT的死区补偿方法研究

于泳; 魏彦江; 王高林

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对三相桥式逆变器死区效应进行了理论分析.阐述了死区效应对逆变器输出电压的影响.介绍了加入一种死区时间的方法,在此基础上提出了一种基于SVPWM控制的逆变器死区补偿方法,即对称补偿法.该方法有效地改善了死区效应引起的电流畸变,实验结果证明了理论分析的正确性和该方法的可行性和有效性,并成功用于变频器的设计中.

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来源
《电力电子技术》 |2007年第12期|126-128|共3页
作者
于泳; 魏彦江; 王高林;
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作者单位

哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001;

哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001;

哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001;

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正文语种 chi
中图分类 TN31/387;
关键词
电力半导体器件; 死区; 补偿; 脉宽调制;

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