North Carolina State University;
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:在相同dv / dt条件下用于中压转换器的15kV SiC MOSFET和15kV SiC IGBT的比较评估
机译:使用15-kV / 40-A SiC N-IGBT的中压三相转换器的功率损耗分析
机译:15 kV SiC IGBT和15 kV SiC MOSFET在三相中压大功率并网逆变器应用中的比较评估
机译:由15 kV碳化硅功率器件实现的中压大功率并网三相逆变器。
机译:13.4 kV / 55 A SiC PiN二极管的理论和实验研究其在闭锁电压和差分导通电阻之间取得了较好的折衷
机译:高功率转换器的15 kV SiC N-IGBT的表征及其应用考虑因素
机译:2.3兆瓦中压三电平风能逆变器采用独特的总线结构和4.5kV si / siC混合隔离电源模块。