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超薄层SiO_xN_y栅介质薄膜的制备与研究进展

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摘要

在0.1μm级的Si_CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年SiOxNy栅介质制备技术的研究进展,讨论了各种方法的优缺点,并展望了SiOxNy栅介质制备技术的未来发展趋势.

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来源
《河北大学学报：自然科学版》 |2005年第6期|673-679|共7页
作者
张弘; 范志东; 田书凤; 彭英才;
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作者单位

河北大学电子信息工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O848.4;
关键词
SiOxNy栅介质; 热退火N化; 等离子体氮化; 化学气相沉积; 氮注入;

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