基于HfO2-ZrO2超晶格铁电栅介质的晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于电子技术领域，公开了一种基于HfO2‑ZrO2超晶格铁电栅介质的晶体管及其制备方法，该晶体管包括：底电极、超晶格铁电栅介质层、金属氧化物沟道、源极、漏极、绝缘电介质薄膜、栅电极和衬底；其中，所述底电极、超晶格铁电栅介质层、金属氧化物沟道在衬底依次由下至上竖直分布；所述源极、漏极分布在所述金属氧化物沟道的两侧；所述绝缘电介质薄膜、栅电极在所述金属氧化物沟道上依次由下而上垂直分布；通过本发明的方法能够获得与现有集成工艺兼容、泄漏电流小、铁电性能优异、可靠性良好的金属氧化物晶体管器件。