Pt/PZT/Pt结构铁电场效应晶体管性能研究

杨富; 蔡道林; 南景宇; 韩冰

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Pt/PZT/Pt结构铁电场效应晶体管性能研究

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目的研究金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管的性能.方法制备金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管并对其性能进行测量分析.结果具有顺时针的Id-Vg滞回曲线的p沟道PZT铁电场效应晶体管能实现极化存储性能,并且在-5V到+5V的Vg电压下从Id-Vg滞回曲线中都得到了1V的存储窗口.存储窗口随-Vg的增大而增大.结论MFMIS结构的p沟道PZT铁电场效应晶体管适合在大规模、高密度、高速度铁电存储器上使用.

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来源
《河北北方学院学报：自然科学版》 |2009年第1期|20-23|共4页
作者
杨富; 蔡道林; 南景宇; 韩冰;
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作者单位

河北北方学院理学院;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
MFMIS; 铁电场效应晶体管; 存储窗口;

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