硅基PT/PZT/PT夹心结构的性能研究

任天令; 张林涛; 刘理天; 李志坚

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硅基PT/PZT/PT夹心结构的性能研究

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在已有的以无机锆盐为原料,用Sol-Gel方法制备硅基Pb(Zr0.53Ti0.47O3 (PZT)铁电薄膜的工艺基础上,成功地制备出PbTiO3/Pb(Zr0.53Ti0.47O3/ PbTiO3(PT/PZT/PT)夹心式新结构.由于采用了这种夹心式结构,使得PZT铁电薄膜的退火温度由原来的900℃降到了700℃.通过实验检验了新结构的铁电和介电性能.发现夹心结构有助于提高PZT薄膜的品质.

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来源
《电子器件》|2000年第3期|169-172|共4页
作者
任天令; 张林涛; 刘理天; 李志坚;
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作者单位

清华大学微电子所,北京,100084;

清华大学微电子所,北京,100084;

清华大学微电子所,北京,100084;

清华大学微电子所,北京,100084;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体集成电路（固体电路）;
关键词
夹心结构; PZT; PT; Sol-Gel法;

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