PIN结构GaN基α粒子探测器的设计

黄河; 朱志甫; 王仁波; 魏雄; 彭新村; 邹继军

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根据Bragg公式及L.S.S理论,计算分析了241Am放射性源在GaN及合金材料中的射程及能量损失比,利用SRIM模拟仿真241 Am在GaN中的射程及能量损失比,得出了最佳PIN结构中Ⅰ层的厚度,优化设计了GaN基α粒子探测器的PIN结构,为MOCVD技术制备PIN结构GaN基α粒子探测器提供了理论依据和实验参考数据.

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来源
《东华理工大学学报（自然科学版）》 |2014年第2期|245-248|共4页
作者
黄河; 朱志甫; 王仁波; 魏雄; 彭新村; 邹继军;
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作者单位

东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心,江西南昌330013;

东华理工大学江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心,江西南昌330013;

东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心,江西南昌330013;

东华理工大学江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心,江西南昌330013;

东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心,江西南昌330013;

东华理工大学江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心,江西南昌330013;

东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心,江西南昌330013;

东华理工大学江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心,江西南昌330013;

东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心,江西南昌330013;

东华理工大学江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心,江西南昌330013;

东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心,江西南昌330013;

东华理工大学江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心,江西南昌330013;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TL817.2;
关键词
GaN ; PIN ; α粒子 ; 射程 ;

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