一种新型GaN基PIN结构紫外探测器

摘要

本发明公开了一种新型GaN基PIN结构紫外探测器，属于半导体光电子器件技术领域，该器件包括衬底、缓冲层、N型短波过滤层、I型吸收层、P型欧姆接触层、P型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极以及N型阻挡层，缓冲层外延在衬底上，N型短波过滤层制作在缓冲层上，P型欧姆接触层制作在I型吸收层之上，P型欧姆接触电极制作在P型欧姆接触层之上，N型欧姆接触电极为环形结构，且制作在N型短波过滤层上，N型阻挡层制作在N型短波过滤层上，I型吸收层制作在N型阻挡层上。本发明的优点在于能够有效地提高探测器的短波抑制比，通过调节不同外延层组份可以选择探测器波段，同时阻挡层能够降低探测器暗电流，从而提高探测器性能。