两种结构GaN基太阳盲紫外探测器

李雪; 陈俊; 何政; 赵德刚; 龚海梅; 方家熊

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两种结构GaN基太阳盲紫外探测器

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分别在金属有机化学汽相沉积(MOCVD)生长的i-Al0.33Ga0.67N/AlN-GaN和p-Al0.45Ga0.55N/i-Al0.45Ga0.55N+-Al0.65Ga0.35N的异质结构上,成功研制了太阳盲区的肖特基型和PIN型紫外探测器.研究结果表明,Au与i-Al0.33Ga0.67N形成了较好的肖特基结,响应波长从250～290nm,峰值(286nm)响应率约为0.08A/W;PIN型紫外探测器的响应波长从230～275nm,峰值(246nm)响应率约为0.02A/W.

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来源
《激光与红外》 |2006年第11期|1040-1042|共3页
作者
李雪; 陈俊; 何政; 赵德刚; 龚海梅; 方家熊;
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作者单位

传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;

传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;

传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;

传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;

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正文语种 chi
中图分类紫外技术及仪器;
关键词
太阳盲区; 肖特基; PIN; 紫外探测器;

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