PIN
PIN的相关文献在1980年到2023年内共计3751篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术、肿瘤学
等领域,其中期刊论文263篇、会议论文7篇、专利文献3481篇;相关期刊198种,包括中国信用卡、电子与电脑、红外与激光工程等;
相关会议7种,包括第八届风险管理与金融系统工程国际研讨会、第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议、中国空间科学学会空间探测专业委员会第十九次学术会议等;PIN的相关文献由5223位作者贡献,包括张玉明、郭辉、李勇等。
PIN
-研究学者
- 张玉明
- 郭辉
- 李勇
- 苏汉
- 张亮
- 肖军
- 宋庆文
- 还大军
- 张艺蒙
- 何茂水
- 王强
- 舒斌
- 宣荣喜
- 尹晓雪
- 胡辉勇
- 不公告发明人
- 王悦湖
- 刘冬华
- 宋建军
- 张鹤鸣
- 胡君
- 钱文生
- 于华章
- 陆舟
- 张凯鑫
- 郝跃
- 华锋
- 张建明
- 李伟
- 李垚
- 王斌
- 唐久逸
- 张海英
- 李廷凯
- 邓君
- 蒋亚东
- 蔡峻峰
- 黄小平
- 严双双
- 刘小兵
- 卢志强
- 张伟
- 张阿丰
- 张雷雨
- 徐然盼
- 林济富
- 胡文状
- 邱光成
- 龙安宏
- 于民
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Lin-Hong Wang;
Yan Ruan;
Wen-Yan Zhao;
Jian-Ping Chen;
Fan Yang
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摘要:
BACKGROUND Continuous severe horizontal bone defect is common in the aesthetic maxillary anterior area,and presents a major challenge in implant dentistry and requires predictable bone augmentation to increase the width of the alveolar bone.CASE SUMMARY A 24-year-old man,with a history of well-controlled IgA nephropathy,presented to the Dentistry Department of our hospital complaining of missing his right maxillary anterior teeth 1 mo ago.Severe horizontal alveolar bone defects at sites of teeth 12,13 and 14 were diagnosed.A modified guided bone regeneration surgical approach stabilizing the absorbable collagen membrane and particulate graft materials by periosteal diagonal mattress suture(PDMS)combined with four corner pins was used for this severe continuous horizontal bone defect.The outcome revealed that the newly formed alveolar ridge dimension increased from 0.72 mm to 11.55 mm horizontally 10 mo postoperatively,with no adverse events.The implant surgery was successfully performed.CONCLUSION This case highlights that PDMS combined with four corner pins is feasible to maintain the space and stabilize the graft and membranes in severe continuous horizontal bone defect.
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赵媛媛;
武传龙;
高鹏飞
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摘要:
In Ga As/In P PIN型光电探测器具有低暗电流、高灵敏度和响应速度快的特性,且能够吸收1-1.7μm红外波段光辐射,因此广泛应用于光纤通信系统。该文设计了一种平面型In Ga As/In P PIN光电探测器芯片,重点介绍了该芯片的外延结构与芯片加工工艺,并对芯片参数进行了测试。
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王海建;
杨翠侠;
李波;
房建峰;
李有池;
高加林;
鲁争艳;
王浚宇;
王泉
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摘要:
随着智能化弹药进一步向精准化、小型化发展,硅基PIN光电探测器由于具有高响应度、短响应时间、小体积、低功耗、强抗干扰等优点而广泛应用于激光制导等领域。然而,暗电流作为制约PIN探测器性能的重要参数一直备受关注,减小暗电流可以有效改善探测器的灵敏度,提高其信噪比。因此,主要介绍了PIN探测器暗电流的产生机制,重点探讨了优化探测器暗电流的方法,主要从钝化工艺、掺杂技术、I层厚度、温度、电场隔离结构、pn结面积等方面综述了暗电流的研究进展,为PIN探测器在智能弹药导航领域的应用奠定了坚实的理论基础。
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蔡昊君;
牛少彰
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摘要:
针对二进制程序漏洞检测误报率高、路径覆盖率低等问题,本文提出了一个基于机器学习的动静结合的二进制漏洞检测方法,借助动态二进制插桩工具Pin获取程序的静态特征和动态特征,通过程序切片和训练好的词向量模型转换成模型的输入向量,再结合机器学习算法检测二进制程序是否有内存泄漏、内存溢出或内存访问越界的漏洞,并定位到出现漏洞的位置.实验证明,该方法能够有效的对二进制程序进行漏洞检测和定位.与现有的二进制漏洞检测技术相比,该方法检测准确率高、漏洞定位准确且自动化程度较高.
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高扬;
赵昆;
王耀君
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摘要:
文章基于社交媒体数据分别构建个人投资者关注度和新闻热度指标,探究两种社交媒体关注度指标与三种股票市场流动性及信息不对称指标之间的交互作用关系,并分析了个人投资者关注度和新闻热度指标对股票市场流动性以及信息不对称程度影响的差异。结果表明:个人投资者关注度的增加首先在短期内会显著地引起股票市场的知情交易概率(PIN)降低,即信息不对称程度降低,流动性提升,随后又会导致PIN小幅上升,信息不对称程度增加;新闻热度的增加也会显著地引起股票市场的PIN下降,以及买卖价差或非流动性比率下降,即流动性变强,但这种效应并不显著。此外,股票市场的流动性和信息不对称程度反过来也会对个人投资者关注度和新闻热度指标造成影响。
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范军;
陈威;
陈传龙
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摘要:
随着信息技术的迅速发展,企业信息化建设也随之快速,企业内部建立了各种信息系统,提供多种业务服务,如生产系统和管理系统.但在应用建设时,没有统一接口的管理平台,没有统一的标准,系统用户认证方式也各异,从而使得用户陷入了用户名和密码管理中,而且用户工作时往往需要在不同的多个信息系统之间切换,重复登录,非常不便,同时增加了系统管理员的运维工作,使得管理和维护成本增加.所以,应建立企业门户的统一身份认证管理系统,从而实现统一的用户管理、统一的身份认证、统一的应用入口,信息系统的单点登录.
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Jesus Rosales
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摘要:
电子通信领域正迅速扩展到日常生活的各个方面。检测、传输和接收数据都需要使用大量器件,例如光纤传感器、RFMEMS、PIN二极管、APD、激光二极管、高压DAC等等。在许多情况下,这些器件需要几百伏的电压才能运行,因此需要使用DC-DC转换器,以满足严格的效率、空间和成本要求。
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李献杰;
陈晓杰;
徐安怀;
赵永林;
蔡道民;
曾庆明;
蒲运章;
郭亚娜;
王志功;
王蓉;
齐鸣
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2006年
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摘要:
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收OEIC的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究,基于自对准InP/InGaAsHBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收光电集成电路(OEIC).发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为45GHz和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5Gb/s和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9。
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李献杰;
陈晓杰;
徐安怀;
赵永林;
蔡道民;
曾庆明;
蒲运章;
郭亚娜;
王志功;
王蓉;
齐鸣
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2006年
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摘要:
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收OEIC的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究,基于自对准InP/InGaAsHBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收光电集成电路(OEIC).发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为45GHz和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5Gb/s和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9。
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李献杰;
陈晓杰;
徐安怀;
赵永林;
蔡道民;
曾庆明;
蒲运章;
郭亚娜;
王志功;
王蓉;
齐鸣
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2006年
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摘要:
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收OEIC的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究,基于自对准InP/InGaAsHBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收光电集成电路(OEIC).发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为45GHz和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5Gb/s和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9。
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李献杰;
陈晓杰;
徐安怀;
赵永林;
蔡道民;
曾庆明;
蒲运章;
郭亚娜;
王志功;
王蓉;
齐鸣
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2006年
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摘要:
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收OEIC的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究,基于自对准InP/InGaAsHBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收光电集成电路(OEIC).发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为45GHz和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5Gb/s和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9。
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李献杰;
陈晓杰;
徐安怀;
赵永林;
蔡道民;
曾庆明;
蒲运章;
郭亚娜;
王志功;
王蓉;
齐鸣
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2006年
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摘要:
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收OEIC的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究,基于自对准InP/InGaAsHBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收光电集成电路(OEIC).发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为45GHz和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5Gb/s和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9。
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李献杰;
陈晓杰;
徐安怀;
赵永林;
蔡道民;
曾庆明;
蒲运章;
郭亚娜;
王志功;
王蓉;
齐鸣
- 《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》
| 2006年
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摘要:
采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收OEIC的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究,基于自对准InP/InGaAsHBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收光电集成电路(OEIC).发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率Ft和最高振荡频率Fmax分别为45GHz和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5Gb/s和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9。