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林龙; 刘铁铮; 陶华龙; 张志华;
大连交通大学 材料科学与工程学院,辽宁 大连 116028;
河南理工大学 数学与信息科学学院,河南焦作454003;
稀磁半导体; 电子结构; 磁性; 第一性原理; 4H-SiC;
机译:Al掺杂的4H-SiC中的电子结构和磁性:第一性原理计算
机译:具有I和VII族元素的4H-SiC的电子结构:可能的p型掺杂的第一性原理研究
机译:从第一性原理计算Ti掺杂和Ti-V-O-Co掺杂的β-Ga2O3中的电子结构和电磁相互作用
机译:La或In掺杂的SnO2的电子结构和光学性质:第一性原理计算
机译:原始和掺杂的锐钛矿型二氧化钛电子结构的第一性原理研究。
机译:掺杂钇的ZnO单层空位的电子结构和光学性质的第一性原理计算
机译:基于第一性原理计算的al / Ga共掺杂ZnO的电子结构和光学性质分析
机译:2H-,3C-和4H-siC多型体中点缺陷的第一性原理计算。
机译:确定电子结构使用寿命的装置,例如电气转换器,具有计算单元,可根据确定的温度和电子结构的电气尺寸来计算电子结构的使用寿命
机译:混合第一性原理和推论模型的因果关系分析计算机系统和方法
机译:基于混合第一性原理和推论模型的因果关系分析计算机系统和方法
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