V掺杂SnO2电子结构及磁性的第一性原理计算

摘要

采用基于密度泛函理论线性缀加平面波方法的WIEN2k程序,计算V掺杂SnO2稀磁半导体的电子结构和磁性.结果表明,V掺杂SnO2的基态都是铁磁态,V掺杂SnO2的磁矩主要来自于V原子以及近邻的O原子,并且V-3d和O-2p之间存在强烈的杂化作用.