电子束光刻中邻近效应的Monte Carlo模拟

摘要

电子束光刻不受衍射效应的限制，具有高分辨率和能产生特征尺寸在100nm以下图形的优点。目前，国际上正在将角度限制散射的投影电子束光刻技术作为21世纪100纳米以下器件大规模生产的主流光刻技术进行重点开发。