退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
陶伟; 魏轶聃; 刘国柱; 魏敬和;
中国电子科技集团公司第五十八研究所;
FINFET; 总剂量效应; 单粒子效应; 尺寸; 浓度;
机译:预测亚微米工艺金属氧化物半导体器件的总剂量效应
机译:SOI FinFET中总电离剂量效应的偏差和几何依赖性
机译:体硅上应变Ge pMOS FinFET的总电离剂量效应
机译:评估空间a上JPEG / DPCM LSI器件和16Mb-DRAM的总剂量和单事件翻转效应
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:静态和动态条件下半导体功率器件上总电离剂量效应的研究。静态和动态条件下电离辐射总剂量对半导体功率器件的影响研究
机译:持续评估双极线性器件的总剂量偏差依赖性和ELDRs效应
机译:耐辐射单元MOSFET增强了抗单事件效应和总电离剂量效应的能力
机译:防辐射的三维单元MOSFET克服了单事件效应和总电离剂量效应
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。