首页> 中文期刊> 《中国电子科学研究院学报》 >锗晶片化学机械抛光的条件分析

锗晶片化学机械抛光的条件分析

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

团队文献服务 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

在不同务件下(不同助剂比例和不同研磨液浓度),通过对锗化学机械抛光速率变化的研究,探讨了锗片在SiO2胶体磨料与H2O2混合液加抛光助剂条件下的化学机械抛光过程,分析了助剂比例对抛光速率的影响.

著录项

来源
《中国电子科学研究院学报》 |2008年第1期|101-104|共4页
作者
刘春香; 杨洪星; 吕菲; 赵权;
展开▼
作者单位

中国电子科技集团公司第46研究所,天津,300220;

中国电子科技集团公司第46研究所,天津,300220;

中国电子科技集团公司第46研究所,天津,300220;

中国电子科技集团公司第46研究所,天津,300220;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体机械加工 ;
关键词
抛光 ; 锗晶片; 机理分析 ;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. GaAs晶片化学机械抛光的机理分析 [J] . 卜俊鹏 ,郑红军 ,何宏家 . 固体电子学研究与进展 . 1997 ,第4期
2. 锗单晶片边缘损伤影响因素分析 [J] . 杨洪星 ,王雄龙 ,何远东 . 电子工业专用设备 . 2017 ,第002期
3. 锗单晶片的碱性腐蚀特性分析 [J] . 吕菲 ,刘春香 ,杨洪星 . 半导体技术 . 2007 ,第11期
4. 添加剂对电诱导GaN晶片化学机械抛光的影响 [J] . 寇青明 ,钮市伟 ,王永光 . 润滑与密封 . 2020 ,第002期
5. 两性离子表面活性剂对A向蓝宝石晶片化学机械抛光的影响 [J] . 陈国美 ,杜春宽 ,倪自丰 . 现代制造工程 . 2020 ,第012期
6. 阳离子表面活性剂对A向蓝宝石晶片化学机械抛光效率的影响 [C] . 白亚雯 ,倪自丰 ,滕康 . 第十九届中国磨粒技术学术会议 . 2017
7. 蓝宝石晶片化学机械抛光工艺与实验研究 [A] . 胡扬轩 . 2018

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号