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杨洪星; 王雄龙; 何远东;
中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;
锗; 边缘损伤; 圆度; 晶向偏离度;
机译:环境温度对单晶锗研磨晶片表面/地下损伤的影响研究
机译:固定和自由研磨研磨对单晶锗晶片的表面损伤
机译:单锗和多晶锗衬底上单锗酸镍的热稳定性研究
机译:硅晶片在晶片边缘受到冲击载荷时的损伤和破损
机译:在硅上大面积,晶片级外延生长锗以及集成高性能晶体管。
机译:通过锗晶片的热塑性变形实现点聚焦单色器晶体
机译:通过金纳米锗晶片的多共振特性辅以增强的两光子光致发光
机译:保险索赔确定碰撞损伤的影响因素分析
机译:质量影响因素分析方法,质量预测方法,质量控制方法,质量影响因素分析装置,质量预测装置,质量控制装置,质量影响因素分析系统,质量预测系统,质量控制系统和计算机程序
机译:质量影响因素分析方法,质量预测方法,质量控制方法,质量影响因素分析设备,质量预测设备,质量控制设备,质量影响因素分析系统,质量预测系统,质量控制和质量控制方法
机译:新的锗官能化的单取代的(锗烷氧基取代的)倍半硅氧烷和获得锗官能化的单取代的(锗烷氧基取代的)倍半硅氧烷的方法
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