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陆翠敏; 孙清池; 孙琳; 徐明霞;
天津大学材料科学与工程学院,300072;
二次合成; 五元系; 准同型相界; 压电; 介电; 铁电性能;
机译:Bi2O3添加剂对(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O-3无铅压电陶瓷(Zr0.1Ti0.9)o-3铅加陶瓷烧结工艺及介电,铁电和压电性能的影响
机译:洞察Zr / Ti比对(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O_3防废料厚膜的结构和性能的影响
机译:Zr / Ti比对掺Mn的Ba(Zr,Ti)O_3陶瓷介电和压电性能的影响
机译:Zr / Ti比对Pb_(0.09)的电性能的影响(0.09)(Zr_xti_(1-x))O_3陶瓷
机译:Zn-Ti-O三元和Zn-Ti-Zr-O四元纳米晶涂层的制备,结构及摩擦学性能关系。
机译:通过优化烧结温度实现无铅0.98(Na0.5K0.5)NbO3-0.02Ba(Zr0.52Ti0.48)O3压电陶瓷的电性能
机译:Zr / Ti含量对正相边界和PZT-SFN压电陶瓷性能的影响
机译:Cr-Nb-Ti-V-Zr系低密度难熔多元合金的力学性能(后印刷)。
机译:金属绝缘体金属(MIM)电容器,其电容器介电材料选自ZRO2,HFO2,(ZRX,HF1-X)O2(0
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
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