介电

摘要： 采用固相法、水热法和静电纺丝法分别制备了块状、花状和纤维状的BiFeO_(3)粉体.采用流延法制备了三种填料的BiFeO_(3)/PVDF复合材料.通过红外光谱(FT-IR)观察到PVDF的三种晶相(α、β、γ).由氮气吸附/脱附实验证明,不同形貌BiFeO_(3)粉体的比表面积存在较大差异.其中,纤维状BiFeO_(3)粉体的比表面积最大.BiFeO_(3)粉体形貌也影响了复合材料的磁介电性能,通过磁介电测试进行研究.对于三种0.5 vol%BiFeO_(3)/PVDF复合材料,纤维状BiFeO_(3)/PVDF复合材料在10^(4)Hz时具有较高的介电常数(~21)和较低的介电损耗(~0.12).在相同电场下,纤维状BiFeO_(3)/PVDF复合材料中纤维的偶极距较大,使其具有较高的极化率和储能密度.

摘要： 静电电容器是能够储存电荷的元件,由两端的极板和中间的电介质材料组成,其能够储存的能量密度取决于电介质材料的介电性能。聚合物电介质材料由于超高的击穿强度、易加工且成本低廉已经被广泛应用,但较低的介电常数限制了其能量密度的提升。向传统的单层聚合物薄膜中引入高介电常数的纳米填料能够实现介电常数的提升,但会显著降低聚合物的耐压性能。近几年来,利用共挤出薄膜技术和静电纺丝等方法将聚合物薄膜加工成多层薄膜的工作取得了较大的进展,多层薄膜可以一定程度上解决复合薄膜介电常数和击穿场强的倒置关系的矛盾。基于相场模拟的结果证明了多层薄膜的优异性能,其在维持聚合物本身的高耐压性能的同时,还实现了介电常数的提升,改善了聚合物薄膜的可释放能量密度,相比于商用双向拉伸聚丙烯(BOPP)薄膜,多层薄膜的能量密度提升了200%甚至更高。本文总结了近几年通过设计多层结构提高复合电介质能量密度的研究进展,并重点探讨了复合材料中层间界面的结构设计及其对阻碍载流子传输的积极作用。

摘要： 通过碘甲烷对1,4,7,10-四氮杂环十二烷(cyclen)进行化学修饰得到甲基取代的N-甲基-1,4,7,10-四氮杂环十二烷(Me-cyclen)。将cyclen和Me-cyclen与HReO_(4)以1∶2的比例进行反应,分别获得化合物(cyclen)(ReO_(4))_(2)(1)和(Me-cyclen)(ReO_(4))_(2)(2)。差示扫描量热法和介电研究发现化合物1和2具有可逆的相变,相变温度为324 K(1)和384 K(2)。以上研究表明:通过对环状有机胺进行化学改性,在降低分子对称性同时可以显著提高该有机-无机杂化材料的相变温度。

摘要： 通过采用容易无序的胺,我们合成了2种有机无机杂化晶体,分别为基于bempy(bempy=1⁃甲基⁃1⁃溴乙基吡咯烷阳离子)的溴盐化合物(bempy)Br(1)和镉基溴化物(bempy)_(2)CdBr_(4)(2),并对其结构相变、介电相变和蓝白荧光进行了详细的表征分析。化合物1在测试温度范围内未观察到可逆相变,化合物2为高温介电相变,介电和差示扫描量热法测试表征其相变温度为357 K。同时,化合物1和2均具备蓝白光致发光特性,荧光测试表明,化合物1和2分别在538 nm和547、750 nm处存在发射峰。化合物2具备介电相变和蓝白光致发光的双重特性。

摘要： 利用高压X射线衍射和高压原位电化学阻抗谱法研究了AlN纳米线的高压结构和电学性质.研究结果表明:AlN纳米线的电学参数均在22.6 GPa发生了突变,该突变与样品发生了从纤锌矿到岩盐矿的结构相变相关.岩盐相中晶格对电子的散射在电传导中起主导作用;不同于纤锌相中的长程传导,岩盐相中存在短程传导,且其作用随压力增加而增大;纤锌相的介电损耗峰在1Hz且不受压力影响;岩盐相的介电损耗峰随压力减小且向低频方向移动.本研究将为AlN及其相关材料的进一步研究和应用提供实验依据.

摘要： 为提高聚丙烯腈(PAN)纤维膜的压电性能,将离子液体1-烯丙基-3-丁基咪唑四氟硼酸盐(IL)掺杂到PAN中,采用静电纺丝技术制备了PAN/IL复合压电纤维。通过扫描电镜、傅里叶变换红外光谱仪、X射线衍射分析仪、宽频介电松驰谱仪、拉伸机、LCR测试仪等方法,对PAN/IL复合压电纤维的形貌、构象、压电性能、介电性能、力学性能及传感器的灵敏度进行表征与分析。研究结果显示,适量地添加IL,纤维排列具有一定的取向性。将IL掺杂到PAN中可使复合纤维膜的平面锯齿构象含量提高,其值最高可达93.08%,有利于PAN复合纤维膜压电性能提高。复合纤维膜的介电常数由3.40提高到6.14,介电损耗由0.05降低到0.03,应力可达4.27 MPa,制备的柔性传感器的灵敏度可达0.56 kPa^(-1)。

摘要： 采用固态反应法制备了NaCl/LiF添加剂掺杂的(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_(3)(KNN)无铅压电陶瓷。研究了NaCl/LiF添加剂(摩尔比为0.58∶0.42)对KNN陶瓷相形成、微观结构、介电性能和铁电性能的影响。X射线衍射表征结果表明,当NaCl/LiF添加剂掺杂量小于1%(摩尔分数)时,KNN陶瓷具有纯的四方钙钛矿结构,而当添加剂掺杂量大于1%(摩尔分数)后,在陶瓷样品的XRD谱图中观察到了杂峰,形成了杂质相。铁电性能研究结果表明,在初始KNN样品中,当温度为470 K时,正交相转变为四方相,在温度为650 K时,四方相转变为立方相。与初始KNN样品相比,NaCl/LiF添加剂改性陶瓷的相变温度有所升高,Tc值达到了约725 K。SHG的测量结果证明了NaCl/LiF添加剂的加入可以增强陶瓷的铁电性能,并提高Tc值。介电性能研究结果表明,掺杂1%(摩尔分数)NaCl/LiF添加剂的样品具有较好的电学性能(d_(33)=~207 pC/N,k_(p)=~0.421,k_(t)=0.424)和较高的力学品质因子(Q_(m)=288)。

摘要： 为满足5G电子封装材料的性能需求,将一定量的改性中空玻璃微珠(f-HGM)和氮化硼(f-BN)添加进加成型液体硅橡胶中制备了低介电、高导热且阻燃的硅橡胶复合材料。测试结果表明,添加了10份f-HGM和15份f-BN的复合材料的介电常数为2.68,介电损耗为0.008 16,显著低于纯硅橡胶,热导率为0.518 W/m·K,是纯硅橡胶的2.25倍。此外,复合材料的热稳定性得到了提升,pHRR和THR分别下降了55.3%和37.7%。通过气相和凝聚相分析发现,复合材料的气相热解产物浓度大幅降低,残炭的致密性和连续性得到显著提升。

摘要： 采用常规固相法制备Bi_(0.44)Na_(0.50)Ba_(0.06)TiO_(3-δ)与Bi_(0.50)Na_(0.44)Ba_(0.06)TiO_(3+δ)无铅陶瓷,在不同温度烧结了两类陶瓷,对比分析了两类陶瓷的晶体结构、显微组织、介电和铁电性能。结果发现1150°C烧结的两类陶瓷具有纯钙钛矿结构,致密性良好,相对密度高于97%。介电测试结果表明两类陶瓷的介温谱存在显著差别,其中Bi_(0.44)Na_(0.50)Ba_(0.06)TiO_(3-δ)陶瓷的介电常数随温度升高显著增大,两类陶瓷均在居里温度附近呈现弥散相变特征。铁电性能测试表明:Bi_(0.44)Na_(0.50)Ba_(0.06)TiO_(3-δ)陶瓷的最大极化强度、剩余极化强度和矫顽场值分别为34.1μC/cm 2、28.5μC/cm 2和53.7 kV/cm;Bi_(0.50)Na_(0.44)Ba_(0.06)TiO_(3+δ)陶瓷的相应值分别为42.8μC/cm 2、31.8μC/cm 2和48.2 kV/cm,说明Bi_(0.50)Na_(0.44)Ba_(0.06)TiO_(3+δ)陶瓷具有更佳的铁电性能。

摘要： 结合普通球磨与高能球磨法,制备了具有纯相、平均粒度约100 nm的K_(0.5)Na_(0.5)NbO_(3)前驱粉体,前驱粉体加入一定量的去离子水作为液相,采用冷烧并退火工艺制备具有简单组成的K_(0.5)Na_(0.5)NbO_(3)陶瓷。研究了冷烧温度、冷烧时间、压力等对冷烧试样物相和致密性的影响,对冷烧试样在不同温度进行退火,研究了退火温度对陶瓷的介电和铁电性能的影响。结果表明:在180°C冷烧并1100°C退火陶瓷的室温介电常数为345,室温介电损耗为0.03,剩余极化强度为25.8μC/cm^(2),最大极化强度为31.4μC/cm^(2),矫顽场为10.2 kV/cm,其介电和铁电性能均优于常规固相法制备的K_(0.5)Na_(0.5)NbO_(3)陶瓷。

摘要： 通过淬火处理可以使弛豫型PMN-PT单晶中一些应力集中的区域产生应力场致相变,在T处产生宏畴,从而在温谱上T处的介电峰强化.研究表明,经淬火处理单晶谐振极化所地应的低温介电行为受到压制,主介电峰变窄,峰值变高并稍向高温方向移动;频率弥散减弱,弛豫性变上.

摘要： 研究了La掺杂对SrBiTiO铁电介电性能影响.当La含量为0.75时得到剩余极化2P极大值为17.8μC/cm,同时介电常数呈现极大.随La掺杂浓度升高,相变温度T降低.

摘要： 采用溶胶-水热法合成了PLZST反铁电陶瓷纳米粉,并采用XRD,SEM和SAXS对其相组成、形貌和粒度进行了分析.PLZST晶相单一,纯度高,分散时为纳米球形,团聚为微米六面体,具自组装倾向.用溶胶-热压法制备了不同比例的PLZST/PVDF 0-3型压电复合材料.研究了组成、电极以及极化电压对其介电性能的影响.结果表明:质量比3:1的PLZST/PVDF复合材料在110°C,极化电压为15kV/mm的条件下极化0.5h,可使其相对介电常数从47.7增大到56.0.用SEM观察其微观组织可知,PLZST陶瓷粒子在PVDF聚合物基体中分散很均匀,但存有少量气孔.

摘要： 介质铁电超晶格薄膜是一类新型的薄膜材料,已逐渐开始受到重视,成为研究的热点.本文主要分析了铁电超晶格薄膜的结构特点、组分材料、介电铁电性能;介绍了其在实际中的应用以及在近几年的发展;概括了几种常用的介质铁电超晶格薄膜的生长技术及其影响因素;最后对铁电超晶格薄膜的发展和应用前景进行了展望.

摘要： 为设计电介透镜，第一步确定预期的孔径表面分布，第二步将电能守恒定律、后表面一侧的菲涅耳定律以及代表光路长度规则的公式转换为联立方程，并根据从电介透镜的焦点到电介透镜后表面的主光线的方位角θ计算电介透镜的表面和后表面的形状，第三步，在电介透镜表面上的坐标达到预定的约束厚度位置时，使上述表示光路长度规则公式中的光路长度减小波长的整数倍。使上述方位角θ从其起始值依次变化，并重复第二步和第三步。于是，在构成电介透镜时使天线性能保持在良好状态的同时，通过分区，可实现尺寸减小和分区量化。

摘要： 为设计电介透镜，第一步确定预期的孔径表面分布，第二步将电能守恒定律、后表面一侧的菲涅耳定律以及代表光路长度规则的公式转换为联立方程，并根据从电介透镜的焦点到电介透镜后表面的主光线的方位角θ计算电介透镜的表面和后表面的形状，第三步，在电介透镜表面上的坐标达到预定的约束厚度位置时，使上述表示光路长度规则公式中的光路长度减小波长的整数倍。使上述方位角θ从其起始值依次变化，并重复第二步和第三步。于是，在构成电介透镜时使天线性能保持在良好状态的同时，通过分区，可实现尺寸减小和分区量化。

摘要： 一种高频介电陶瓷构件，其由包含Mg，Ba，Re，Ti，和O的氧化物陶瓷组成，其中Re是选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Dy，和Er的至少一种元素。所述氧化物陶瓷由化学式aMgO-bBaO-cRe

摘要： 可以获得具有介电常数(εr)为30～50、在1GHz时的Q值为15000或更高以及共振频率的温度系数(ιf)可以任意控制在0(ppm/°C)附近的高频介电陶瓷组合物。该组合物是以钙钛矿型晶体相为主的晶体，并且可以通过表达式为(1-x)MeTiaO1+2a-xLn(Ma1/2Mb1/2)bO(3+3b)/2来表示，其中Ln是一种稀土元素、Ma是选自包括Mg和Zn中的至少一种、Mb是选自包括Sn和Zr中的至少一种、以及Me是选自包括Ca和Sr中的至少一种，x为摩尔分数以及0.950≤a≤1.050、0.900≤b≤1.050和0.300≤x≤0.500。

摘要： 其目的在于提供一种提高多层印刷电路板的内置电容器电路的位置精度、且除去了除电容器电路部以外的不必要的电介质层的介电层构成材料及电容器电路形成部件等。为了达成该目的，而采用介电层构成材料的制造方法，其特征在于，作为制造该介电层构成材料的工艺，在实施工序a后实施工序b，其中：工序a为第一电极电路形成工序，对在介电层的两表面上具有导体层的覆金属箔电介体的单面上的导体层进行蚀刻加工而形成第一电极电路；工序b为介电层除去工序，除去从第一电极电路之间露出的介电层而形成介电层构成材料。然后，作为制造电容器电路形成部件的工艺，采用在上述得到的介电层构成材料，并实施在与第一电极对峙的位置形成第二电极的工序。

摘要： 一种高频介电陶瓷构件，其由包含Mg，Ba，Re，Ti，和O的氧化物陶瓷组成，其中Re是选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Dy，和Er的至少一种元素。所述氧化物陶瓷由化学式aMgO－bBaO－cRe

摘要： 可以获得具有介电常数(εr)为30～50、在1GHz时的Q值为15000或更高以及共振频率的温度系数(ιf)可以任意控制在0(ppm/°C)附近的高频介电陶瓷组合物。该组合物是以钙钛矿型晶体相为主的晶体,并且可以通过表达式为(1－x)MeTiaO1+2a－xLn(Ma1/2Mb1/2)bO(3+3b)/2来表示,其中Ln是一种稀土元素、Ma是选自包括Mg和Zn中的至少一种、Mb是选自包括Sn和Zr中的至少一种、以及Me是选自包括Ca和Sr中的至少一种,X为摩尔分数以及0.950≤a≤1.050、0.900≤b≤1.050和0.300≤x≤0.500。

摘要： 本发明提供介电性降低剂、包含其的低介电性树脂组合物和降低树脂的介电性的方法。介电性降低剂包含具有低相对介电常数和低介电损耗角正切的特定环氧改性有机硅树脂，并且具有小于0.001wt％的离子性物质含量。

摘要： 本发明提供一种低介电玻璃组成物、一种低介电玻璃、一种低介电玻璃纤维及一种包含该低介电玻璃纤维的制品。该低介电玻璃组成物包含以该低介电玻璃组成物的总量为100wt％计，49wt％至59wt％的SiO2、9.5wt％至14.5wt％的Al2O3、19wt％至35wt％的B2O3、2wt％至5wt％的CaO、0.25wt％至3wt％的ZnO、0wt％至1wt％的MgO、0wt％至1wt％的TiO2、0wt％至3wt％的ZrO2，及0.1wt％至3.5wt％的MnO。通过上述成分及含量的搭配设计，本发明低介电玻璃组成物除具有良好的抽丝成型窗口且无相分离的现象，还兼具低介电常数及低介电正切损耗，且包含该低介电玻璃组成物的低介电玻璃及低介电玻璃纤维具有低介电常数及低介电正切损耗。

摘要： 电磁装置的介电结构包括：第一介电部分FDP，其具有近端、远端以及三维3D形状，所述三维3D形状具有平行于正交的x,y,z坐标系的z轴取向的从近端到远端的突起的方向；以及第二介电部分SDP，其具有近端和远端，SDP的近端接近FDP的远端设置，FDP和SDP具有不同于空气的介电材料；其中，SDP具有3D形状，所述3D形状具有靠近SDP的近端的第一x‑y平面截面区域以及SDP的近端与远端之间的第二x‑y平面截面区域，第二x‑y平面截面区域大于第一x‑y平面截面区域。