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李瑛娟; 宋群玲; 张文莉; 张金梁; 滕瑜; 蔡川雄;
昆明冶金高等专科学校冶金材料学院,昆明 650033;
PZT陶瓷; 固相烧结; 微观结构; 介电性能;
机译:Zr / Ti比对0.8Pb(ZrxTi1-x)O-3-0.2Pb(Co1 / 3Nb2 / 3)O-3陶瓷介电和铁电性能的影响
机译:低温烧结的Pb(Co1 / 2W1 / 2)O-3-Pb(Mn1 / 2Nb2 / 3)O-3-Pb(Zr,Ti)O-3陶瓷的微观结构,介电和压电性能Li2CO3和Bi2O3
机译:Zr / Ti比对0.8Pb(Zr x sub> Ti 1-x sub>)O 3 sub> -0.2Pb()的相形成和介电性能的影响Co 1/3 sub> Nb 2/3 sub>)O 3 sub>陶瓷
机译:Sr掺杂对Pb(Mn1 / 3Nb2 / 3)O3-Pb(Zr,Ti)O3陶瓷压电性能的影响
机译:用于原子层沉积Pb(ZrxTi1-x)O3薄膜的存储器应用工程纳米级多铁复合材料。
机译:Y2O3涂层(Pb0.92Sr0.05La0.02)(Zr0.7Sn0.25Ti0.05)O3陶瓷中的类似反铁电性及其储能性能
机译:Tm3 +浓度对体系(Pb,La)(Zr,Ti)O3陶瓷性能的影响Tm3 +浓度对(Pb,La)(Zr,Ti)O3陶瓷性能的影响
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性
机译:A站点和/或B站点修改的PBZRTIO3材料和(PB,SR,CA,BA,MG)(ZR,TI,NB,TA)O3膜可在铁电随机访问存储器和高性能薄膜微执行器中使用
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3膜,可用于铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器
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