烧结温度对0．9PbZr0．52Ti0．4803-0．1NaNbO3压电陶瓷结构及电学性能的影响

摘要

采用传统固相烧结法制备了钠过量的0．9PbZr0．52Ti0．48O3-0．1NaO3(PZT-NN)压电陶瓷，研究了烧结温度对PZT-NN陶瓷晶体结构及其电学性能的影响。XRD结果表明，不同温度烧结的PZT-NN陶瓷均为单一钙钛矿结构，在1125~1150℃温区烧结时，陶瓷发生了由四方相向正交相的相变。rn 随烧结温度进一步升高，压电常数d33、介电常数εr以及剩余极化强度Pr均呈递减趋势，烧结温度为1125℃的PZT-NN陶瓷具有较好的电学性能：d33=218 pC／N，εr=851，tanδ=0．02。PZT-NN陶瓷的相对密度随烧结温度的升高而增大，在1150℃时达到95％，钠过量的NaNbO3加入使PZT陶瓷的致密化烧结温度降低了50~150℃。