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韩卫; 罗晏;
不详;
氢; 氧; 离子注入; 砷化镓器件;
机译:高能(MeV)离子注入及其在GaAs和InP中的器件应用
机译:在HCI / HF / CrO_3解决方案中InGaAs / InGaAsP的选择性湿法刻蚀:在集成光电器件中的垂直锥度结构中的应用
机译:GaAs / Ge / GaAs(113)B异质结构中的亚晶格反转及其在基于耦合多层腔的太赫兹发射器件中的应用
机译:高能质子注入对InAlGaAs覆盖的InGaAs / GaAs量子点基红外光电探测器器件性能的影响
机译:无序AlGaAs-GaAs超晶格的研究及其在光学器件加工中的应用
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:ALMBE技术在HEMT器件的GaAsnAlGaAs,n-GaAsInGaAs和AlAsInAsGaAs外延系统中的应用
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模
机译:用于微波应用的平面离子注入GaAs-MESFET器件
机译:通过高能离子注入的晶格匹配的InGaAs / InGaAsP多量子阱结构的光电器件外延层结构及其制造方法
机译:高能离子注入法制备晶格状INGAAS / INGAASP多量子阱结构的光电器件外延结构及其制造方法
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