离子束缺陷工程与离子注入激活率的提高

摘要

研究了运用离子束缺陷工程提高离子注入Ｓｉ中掺杂激活的新方法，ＭｅＶ高能Ｓｉ注入被有效地用于防止缺陷（损伤）层对Ｐ激活的有害影响，大大提高了掺杂杂质的平均激活水平。