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代月花; 陈军宁; 柯导明; 孙家讹;
安徽大学电子科学与技术学院;
MOSFET; 阈值电压; 电容; 量子效应; 量子化; 解析模型; 解析表达式; 势阱; 近似; 经典理论;
机译:寄生内部边缘电容对高k栅介电纳米级SOI MOSFET阈值电压影响的紧凑模型
机译:考虑量子效应的对称双栅MOSFET漏极电流,电容和跨导的解析模型
机译:背栅应力对LOCOS隔离SOI MOSFET背栅阈值电压的影响
机译:栅电极边缘电容对纳米MOSFET阈值电压的影响
机译:双栅MOSFET量子效应的紧凑模型。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:寄生内部边缘电容效应的紧凑建模 高K栅介质纳米级sOI mOsFET的阈值电压
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响
机译:沟槽栅型VDMOSFET器件,栅绝缘层部分较厚,用于减小栅源电容
机译:电离辐射检测-包括使用带有浮栅的MOSFET晶体管的剂量计,电离辐射通过露天或气体空间等影响栅表面。
机译:高k金属栅p型MOSFET的低阈值电压制造和反型氧化物厚度缩放
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