机译:寄生内部边缘电容对高k栅介电纳米级SOI MOSFET阈值电压影响的紧凑模型
High-k gate dielectric; Insulated gate field effect transistors (FETs); Internal fringe capacitance; Silicon-on-insulator (SOI) MOSFET; Threshold voltage; Two-dimensional (2-D) modeling;
机译:考虑边缘场效应的高k栅极介电MOSFET的阈值电压模型
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机译:考虑高k栅极介电边缘场效应的阈值电压模型MOSFET
机译:寄生边缘电容对下叠式DG-MOSFET阈值电压的影响
机译:使用低噪声分流电容-电压测量从亚100nm MOSFET去除寄生电容的新方法。
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机译:寄生内部边缘电容效应的紧凑建模 高K栅介质纳米级sOI mOsFET的阈值电压