HNO3处理多孔硅高效发光的研究

王水凤; 姜乐; 戴丽丽; 王震东; 元美玲

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HNO3处理多孔硅高效发光的研究

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在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(Porous Silicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理.比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高.用XPS和SEM对样片测试的结果表明:酸处理后样片表面形成Si-O结构,其表面平均孔径增大,而且分布更均匀.

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来源
《江西科学》 |2005年第4期|363-365382|共4页
作者
王水凤; 姜乐; 戴丽丽; 王震东; 元美玲;
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作者单位

南昌大学理学院,江西,南昌,330047;

南昌大学材料科学与工程系,江西,南昌,330047;

南昌大学材料科学与工程系,江西,南昌,330047;

南昌大学理学院,江西,南昌,330047;

南昌大学理学院,江西,南昌,330047;

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正文语种 chi
中图分类半导体性质;材料;
关键词
多孔硅; 光致发光; HNO3;

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