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基于Ag-Sn焊片共晶键合的MEMS气密性封装

     

摘要

This paper introduced the eutectic bonding technology in MEMS hermetic packaging based on Ag - Sn solder film. The structure of multi-layer material for eutectic bonding and the pattern of sealing rings were designed. A good bonding effect was realized in the N2 protecting environment at 221 ℃,and the average shear strength was 9.4 MPa. Helium leak rate is no more than 5 × 10-4 Pa ·cm3/s in the comparative experiments through three months,which meets the GJB548B -2005 standard and verifies the feasibility of Ag - Sn eutectic bonding technology in MEMS hermetic packaging.%研究了在MEMS气密性封装中基于Ag - Sn焊片的共晶键合技术.设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,在221℃实现了良好的键合效果,充N2保护的键合环境下,平均剪切强度达到9.4 Mpa.三个月前后气密性对比实验表明氦泄漏不超过5×10-4 Pa.cm3/s,满足GJB548B-2005标准规定,验证了Ag - Sn共晶键合技术在MEMS气密封装中应用的可行性.

著录项

  • 来源
    《仪表技术与传感器》 |2012年第6期|6-7,28|共3页
  • 作者单位

    中国科学院研究生院,北京100039;

    中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100190;

    中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100190;

    中国科学院研究生院,北京100039;

    中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100190;

    中国科学院研究生院,北京100039;

    中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100190;

    中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100190;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 测试和检验;
  • 关键词

    共晶键合; 气密封装; Ag-Sn焊片;

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