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Bens.JD; 顾聚兴;
不详;
汞镉碲; 红外列阵; 焦平面列阵; 分子束外延;
机译:分子束外延生长外延层制造的长波长红外HgCdTe-on-Si二极管的零偏压电阻面积积的建模
机译:分子束外延生长汞镉的光致发光:HGCDTE / GAAS和HGCDTE / SI技术的比较
机译:通过分子束外延生长在CdTe / Si衬底上的扩展短波长红外HgCdTe传感器的开发与制造
机译:分子束外延(MBE)HgCdTe柔性生长技术,用于制造红外光电探测器
机译:通过分子束外延和簇束外延发展III-氮化物半导体,以及基于氮化铟镓MQW的LED的制造。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:碘掺杂分子束外延生长HGCDTE中的少数型载体寿命
机译:HgCdTe,HgZnTe,相关异质结和HgCdTe-CdTe超晶格的分子束外延生长,表征和电子器件加工。
机译:分子束外延(MBE)HgCdTe生长的基质
机译:分子束外延(MBE)HGCDTE生长的基板
机译:分子束外延(MBE)HGCDTE生长的基质
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