俄罗斯用分子束外延技术制备32×32元HgCdTe单片红外探测器

高国龙

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俄罗斯用分子束外延技术制备32×32元HgCdTe单片红外探测器

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俄罗斯科学院半导体物理研究所西伯利亚分所已利用分子束外延技术在32×32元读出集成电路上制备出一个HgCdTe单片红外探测器。该单片探测器基于一种HgCdTe/CdTe/ZnTe/Si光敏异质结构,它是通过该研究所开发的一种既可保护读出集成电路元件又能生长高质量HgCdTe膜层的预外延制备技术制备的，其具体制备过程如下：

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来源
《红外》 |2010年第12期|42-43|共2页
作者
高国龙;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
分子束外延技术; HgCdTe; 俄罗斯科学院; 红外探测器; 制备技术; 单片; 读出集成电路; 物理研究所;

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