基于分子束外延技术的自成结光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于分子束外延技术的自成结半导体光电探测器及其制备方法，属于光电探测器件领域。本发明制备的光电探测器采用非对称PIN浅结结构，将Sb原子在分子束外延设备腔体内采用高温原位掺杂的方法掺杂进Ge薄膜中，将Ge改性为N型半导体；全程制备过程均在分子束外延设备腔体中进行，这样就大大减小了外来杂质的污染，简化了光电探测器制作工艺的流程，且相比传统的离子注入的掺杂方法，该方法不会破坏晶体的晶格结构。