基于分子束外延技术的半导体生长设备

摘要

本实用新型公开了一种基于分子束外延技术的半导体生长设备。所述半导体生长设备包括真空腔室以及旋转单元和倾斜调节单元；所述旋转单元包括旋转台、旋转机构和基片，所述旋转机构包括第一驱动电机和样品托，所述基片设置在所述样品托上，所述样品托上未被基片覆盖的区域还设置有至少一第一校准通孔；所述倾斜调节单元包括倾斜调节机构、分子束源炉和第一激光器，所述倾斜调节机构与分子束源炉连接；所述第一激光器发光的第一激光能够穿过所述第一校准通孔，并在真空腔室内形成第一光斑。本实用新型提供的半导体生长设备，结构简单安装方便，定位快速且准确，可以有效的保证分子束源炉初始时的精确喷射，大大提升样品生长的效率。