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一种双快门分子束外延源炉系统及分子束外延设备

摘要

本发明公开了一种双快门分子束外延源炉系统及分子束外延设备,包括腔室,源炉,第一快门和第二快门;源炉的炉口朝向腔室内设置,第一快门和第二快门向腔室内延伸,且第一快门和第二快门至少部分露出于腔室外壁;通过在腔室外操作第一快门,可将第一快门调整至完全遮挡源炉的蒸发路径的第一位置或者完全离开蒸发路径的第二位置;通过在腔室外操作第二快门,可将第二快门调整至覆盖源炉3炉口正上方的第三位置或者靠近源炉3炉口加热器的第四位置。根据本公开的双快门源炉系统能够保护源炉内的源料不受材料碎片污染、优化外延薄膜质量、同时有效提升蒸发束流的稳定性和重复性。

著录项

  • 公开/公告号CN113463189A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN202110683800.8

  • 申请日2021-06-21

  • 分类号C30B23/02(20060101);

  • 代理机构11010 工业和信息化部电子专利中心;

  • 代理人焉明涛

  • 地址 410000 湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1698号麓谷科技创新创业园A1栋1-1023房

  • 入库时间 2023-06-19 12:48:23

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