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公开/公告号CN113463189A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 湖南烁科晶磊半导体科技有限公司;
申请/专利号CN202110683800.8
发明设计人 杜鹏;龚欣;付宏伟;魏唯;陈峰武;肖慧;宁澍;陈长平;
申请日2021-06-21
分类号C30B23/02(20060101);
代理机构11010 工业和信息化部电子专利中心;
代理人焉明涛
地址 410000 湖南省长沙市高新开发区岳麓西大道1698号麓谷科技创新创业园A1栋1-1023房
入库时间 2023-06-19 12:48:23
机译: 分子束源细胞,分子束外延生长装置和分子束外延生长
机译: 分子束外延器件和分子束外延方法及分子束单元
机译: 分子束外延生长设备的清洁方法,使用分子束外延生长设备制造基板的方法和设备
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机译:新型快门控制方法制备的气源分子束外延应变单量子阱GaInP / AlInP可见光激光器
机译:六方氮化镓薄膜的离子束辅助分子束外延与常规分子束外延的比较
机译:气源分子束外延源供应中断气源分子束外延的光致发光研究
机译:通过分子束外延,使用Fe3O 4作为自旋电子学,通过分子束外延了解宽带隙半导体上的电活性界面形成
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:在分子束外延的高SN含量Gesn的分子束外延自发地从薄膜转换为高晶体质量条纹
机译:分子束外延系统中Gaas的图案化准分子激光蚀刻。