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何力; 巫艳; 杜美蓉;
中国物理学会;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
HgCdTe; 分子束外延技术;
机译:分子束外延生长汞镉的光致发光:HGCDTE / GAAS和HGCDTE / SI技术的比较
机译:在GaAs(013)和Si(013)衬底上通过分子束外延生长的窄间隙HgCdTe外延膜中双受体的太赫兹光电导
机译:分子束外延生长外延层制造的长波长红外HgCdTe-on-Si二极管的零偏压电阻面积积的建模
机译:HgCdTe 1.55um雪崩光电二极管的分子束外延外延生长
机译:通过超音速分子束技术研究IV组半导体异质外延系统中的气体表面反应性和膜生长选择性。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:碘掺杂分子束外延生长HGCDTE中的少数型载体寿命
机译:HgCdTe,HgZnTe,相关异质结和HgCdTe-CdTe超晶格的分子束外延生长,表征和电子器件加工。
机译:分子束外延(MBE)HgCdTe生长的基质
机译:分子束外延(MBE)HGCDTE生长的基板
机译:分子束外延(MBE)HGCDTE生长的基质
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