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公开/公告号CN112160030A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十一研究所;
申请/专利号CN202011023027.4
发明设计人 高达;王经纬;周朋;刘铭;宁提;谭振;
申请日2020-09-25
分类号C30B29/68(20060101);C30B23/06(20060101);C30B29/48(20060101);
代理机构11010 工业和信息化部电子专利中心;
代理人华枫
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号
入库时间 2023-06-19 09:24:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-09
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B29/68 专利申请号:2020110230274 申请公布日:20210101
发明专利申请公布后的驳回
机译: 分子束外延系统的基体温度控制方法
机译: 分子束外延系统中的基板温度精度和温度控制灵活性
机译: 分子束外延系统中的基体温度精度和温度控制灵活性
机译:分子束外延与分子束外延溅射分子束外延生长的SiC层的表面性能
机译:GaInP层和GaInP / AlGaInP量子阱通过分子束外延生长而产生的光致发光,其中分子束外延具有不同的生长温度,磷气体压力和衬底取向
机译:六方氮化镓薄膜的离子束辅助分子束外延与常规分子束外延的比较
机译:在GaASP的分子束外延期间(411)GaAs基板的分子束外延期间表面迁移长度的砷压力依赖性
机译:通过分子束外延,使用Fe3O 4作为自旋电子学,通过分子束外延了解宽带隙半导体上的电活性界面形成
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:在分子束外延的高SN含量Gesn的分子束外延自发地从薄膜转换为高晶体质量条纹
机译:表面分子反应在影响生长机制和非平衡表面性质中的作用:分子束外延的蒙特卡罗研究