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高国龙;
无;
红外激光器; InAs量子点; 生长工艺; 金属有机汽相外延; 半导体结构;
机译:用于1.3μm量子点激光器的高质量InAs / GaAs量子点的分子束外延生长
机译:金属有机化学气相沉积法生长的InAs / GaAs自组装量子点激光器-生长后退火对堆叠的InAs量子点的影响
机译:InP上用于红外光电探测器应用的高质量InAs量子点多层结构的生长
机译:使用INAS / GAAS自组装量子点朝向中红外极化激光器朝向中红外极化激光器
机译:用于太阳能电池的高质量InAs / GaAsSb量子点的外延生长。
机译:消除用于制备1.3μm量子点激光器的InAs / GaAs量子点中的双峰尺寸
机译:金属有机化学气相沉积法生长Inassb / Inas / Inpsb / Inas中红外发射体
机译:在InAs衬底上生长的中红外激光结构的选择性Si掺杂InAs / AlAsSb短周期超晶格作为N型覆盖层
机译:在GaSb或InAs衬底上生长的长波长激光器的材料系统
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