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HgCdTe MIS器件制备及其C-V特性研究

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摘要

通过在P-HgCdTe上生长阳极硫化膜和ZnS介质钝化层,制备出了性能较好的MIS器件,并通过对MIS器件C-V特性的分析,获得了ZnS/自身钝化膜/P-HgCdTe的界面特性.所测的界面电荷密度在1010～1011cm-2之间,平带电压在2 V以下.

著录项

来源
《红外技术》 |2002年第5期|42-45|共4页
作者
张朝阳; 蔡毅; 张鹏翔;
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作者单位

昆明理工大学材料系,昆明,650051;

昆明物理研究所,昆明,650223;

昆明物理研究所,昆明,650223;

昆明理工大学材料系,昆明,650051;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
HgCdTe; MIS器件; C-V特性; ZnS;

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