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HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(上)

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摘要

介绍了HgCdTe MIS器件的制备及由其C--V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤.利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式.

著录项

来源
《红外》|2006年第12期|4-9|共6页
作者
何波; 史衍丽; 徐静;
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作者单位

昆明理工大学光电子新材料研究所,昆明,650051;

昆明物理研究所,昆明,650223;

昆明物理研究所,昆明,650223;

济南大学材料学院,济南,250022;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
HgCdTe; MIS器件; 表面钝化; 界面电学特性;

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