首页> 中文期刊>红外技术 >标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究

标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究

     

摘要

在经过校温的ECR-PEMOCVD装置上,通过分析RHEED(反射高能电子衍射)图像研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底进行清洗、氮化实验,结果表明:经常规清洗的蓝宝石衬底的表面晶质差异很大;按照经验清洗30 min是不能清洗充分的,那么根据情况进行多步清洗就显得很重要了;结果表明清洗得很充分的衬底经20 min的氮化出来,而未清洗充分的衬底20 min或更长的时间是不能氮化出来的.

著录项

  • 来源
    《红外技术》|2003年第6期|64-68|共5页
  • 作者单位

    大连理工大学,三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;

    大连理工大学,电气工程与应用电子技术系,辽宁,大连,116024;

    大连理工大学,三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;

    大连理工大学,电气工程与应用电子技术系,辽宁,大连,116024;

    大连理工大学,三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;

    大连理工大学,电气工程与应用电子技术系,辽宁,大连,116024;

    大连理工大学,三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;

    大连理工大学,电气工程与应用电子技术系,辽宁,大连,116024;

    大连理工大学,三束材料表面改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;

    大连理工大学,电气工程与应用电子技术系,辽宁,大连,116024;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TN312.8;
  • 关键词

    蓝宝石; 清洗; 氮化; RHEED; GaN;

  • 入库时间 2022-08-18 03:07:25

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号