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秦福文; 顾彪; 徐茵; 杨大智;
大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室;
大连理工大学材料工程系;
蓝宝石; 清洗; 氮化; RHEED; GaN;
机译:通过ECR等离子溅射法在蓝宝石衬底上制备的氮化铝薄膜的晶格常数扩展
机译:蓝宝石衬底上ZnO原子层外延的ECR等离子体预处理技术的比较
机译:ECR氢等离子体原位清洗Si衬底上同质外延膜的低温生长
机译:Arxps和XPD研究了Al_xGa_1-xN外延的蓝宝石衬底的等离子体清洗和氮化
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:图案化蓝宝石衬底上的氮化镓发光体,可提高缺陷率和光提取效率
机译:III族氮化物外延衬底,用于III族氮化物元素的外延衬底以及包括形成在蓝宝石单晶主表面上的表面氮化物层的III族氮化物元素
机译:图案化的蓝宝石衬底及其制造方法和使用该蓝宝石衬底的氮化物半导体发光元件
机译:用于氮化镓基器件的多晶硅碳化硅衬底具有薄的蓝宝石层,该蓝宝石层设置在衬底的上表面上方,其中该层具有特定的厚度,并且上表面用于容纳器件的层
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