有机金属沉积法生长HgCdTe双色晶膜材料的研究

摘要

本文采用有机偶然性沉积法在ＣａＡｓ衬底上先开展生长双色ＨｇＣｄＴｅ材料的研究，总结了生长ＣｄＴｅ缓冲层和隔离层ｘ＝０．２、ｘ＝０．３的ＨｇＣｄＴｅ晶膜工艺条件，总结出了ＨｇＣｄＴｅ双色材料的组分均匀性，厚度、表面形貌，结构和电性能。