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金刚石合成 ; 电子器件 ; 衬底 ; 制造方法 ; 硅晶片 ; 半导体层; 金刚石层; CVD ;
机译:MOCVD在大直径硅衬底上高速生长氮化物基电子器件结构
机译:带有帽形铜金刚石衬底的蓝宝石基InGaN发光二极管的热行为
机译:预处理对碳化钨衬底上合成金刚石薄膜的衬底预处理的影响
机译:硼基等级预处理在Ti衬底上B掺杂金刚石合成的影响
机译:氢化物气相外延生长极性和非极性氮化物半导体准衬底,用于分子束外延开发光电子器件
机译:使用纳米金刚石的电子器件的操作分析含氮空位中心的薄膜
机译:大面积硅衬底上的CVD金刚石生长大面积硅衬底上的CVD金刚石生长
机译:在离轴蓝宝石衬底上生长的电子器件。
机译:氮化物生长衬底,特别是用于光电子器件中氮化镓的异质外延沉积,是通过粘合生长衬底和支撑衬底的柔顺薄膜并减薄生长衬底而制成的
机译:III族氮化物基电子器件和外延衬底
机译:在晶格匹配的衬底上形成氮化物基光电和电子器件结构
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