硅晶片

摘要： 半导体级磷酸是电子行业使用的一种超高纯化学试剂,广泛应用于超大规模集成电路、薄膜液晶显示器等微电子工业,主要用于硅晶片中氮化硅膜、镀金属膜和铝硅合金膜的湿法清洗和蚀刻[1-2]。在硅晶片的蚀刻过程中,磷酸中痕量杂质元素对电子元器件的成品率、电性能及可靠性有很大影响。不同的杂质污染会导致半导体器件的缺陷,如碱金属与碱土金属(钠、钾、钙、镁等)污染可导致器件的击穿电压降低;过渡金属与重金属(铁、铬、镍、铜、金、锰、铅等).

摘要： 1国内外研究现状早在20世纪80年代,国外专家学者就开始对光伏节水灌溉技术进行研究。E-dzard Hafner等[1]从作物需水量出发对水泵进行了最优选型,研究了太阳能光伏发电系统在滴灌设备中的运用。M.Abdolzadch等[2]研究指出较低的太阳能电池温度和硅晶片反射能有效增加光伏水泵系统效率。目前,太阳能节水灌溉技术在美国、欧洲以及亚洲部分国家已经推广使用,滴灌、微灌系统中使用太阳能作为能源的比例逐渐增加,使得偏远地区农业灌溉用电得到保证[3]。

摘要： 面对当前"卡脖子"危机,我国芯片制造行业持续发力,掀起研发热潮。芯片的诞生,离不开对硅晶片的精雕细磨,而在复杂的硅晶片生产工艺中,电子级硫酸扮演着举足轻重的角色。在这个产业链上,安阳岷山环能高科有限公司如涓涓细流般,不断为下游输送"养料",助力我国芯片制造业的加速崛起。

摘要： 这听起来好像是科幻电影里的东西,但阴影效应发电机是真实存在的实物装置。这个吸引人的装置能帮助人们改变可再生能源在室内产生的方式。阴影效应发电机利用明暗对比来发电,它由硅晶片上的一系列薄金片组成,这些薄金片被安置在软塑料底座上。

摘要： 硅晶片是一种在集成电路及光伏太阳能等行业的应用非常广泛的材料,而隐形缺陷是影响太阳能电池用硅晶片质量的重要因素之一.在硅晶片外因诱导光子辐射复合理论基础上,通过将硅晶片电致发光检测结果与硅晶片I-V特性检测结果进行对比分析,验证了所开发检测系统的可靠性和准确性,证明所开发的隐型缺陷检测成像系统可以应用于太阳能电池组件隐型缺陷检测,是一种性价高且在具有良好市场应用前景的检测技术.

摘要： 针对目前硅晶片瑕疵具有大小差异较大,与背景相似性高,存在大量细小瑕疵,检测算法具有较高复杂度的特点,结合当前先进的目标检测技术与嵌入式技术,提出了基于嵌入式的硅晶片瑕疵检测方法.利用现在流行的YOLOv3算法,通过改进网络结构,并融合了数据扩增等方法训练目标检测网络,使得算法更适合于硅晶片的瑕疵检测任务,并采用模块化设计在Linux嵌入式系统下实现了图像采集、处理、存储与输出.实验表明,在较小的样本下,该方法实现了对硅晶片瑕疵的快速、准确的检测.

摘要： 以SiC微粉为媒介对硅晶片进行干法背面软损伤,而后对晶片进行抛光清洗及热处理.以制备的抛光片表面颗粒度、氧化雾和氧化诱生堆垛层错为评价指标,研究了不同粒径的SiC微粉对干法背面软损伤工艺的影响.实验结果表明,SiC微粉粒径对干法背面软损伤影响显著,当以粒径为6.7μm的SiC微粉对硅晶片进行干法背面软损伤时,制备的抛光片正表面洁净度良好,表面颗粒度为29个/片(表面颗粒D≥0.2μm).经氧化诱生后,晶片背表面氧化诱生堆垛层错密度为(4～5)×104个/cm2.背面软损伤层可起到较好的吸杂作用,经氧化诱生后晶片正表面无热氧化雾出现.

摘要： 使用飞秒激光微加工中心对单晶硅片等材料进行微尺度结构加工时,需保证硅晶片表面、 边缘的完好,无瑕疵、 污渍及划痕等缺陷.提前识别有破损的晶片对保证飞秒激光烧蚀样品的顺利进行具有实际意义.以飞秒激光烧蚀的单晶硅片为实验样品,分别针对以下一些瑕疵的视觉检测策略进行了研究:硅晶片表面划痕检测、 表面污渍检测、 边缘瑕疵与破损检测以及硅晶片边缘直线或曲线检测.经实验验证,提出的针对各种晶片表面瑕疵的检测策略是可行的,对提高飞秒激光烧蚀硅晶片的质量具有借鉴价值.

摘要： 2019年11月18日,乔治亚州阿尔法利塔市——索尔维宣布,其新型Halar(R)ECTFE水性涂料体系帮助SWI (Southwest Impreglon)成功涂装具有复杂几何形状硅晶片的加工设备.SWI是一家特种涂料企业,也是索尔维Halar(R)ECTFE粉末涂料的长期客户.SWI将新型Halar(R)ECTFE水性涂料体系加入其产品组合,实现了光滑、均匀、无针孔的涂覆表面,从而为静电粉末涂料不适用的复杂结构部件提供高质量的防腐保护.这类复杂结构部件包括用于强腐蚀化学工况的复杂形状、不均匀表面、大尺寸器皿、管道内壁、储罐、容器等.索尔维Halar(R)ECTFE水性涂料体系，拥有与Halar(R)ECTFE粉末涂料同样独特的性能组合，包括耐用性能、优异的耐化学性和耐渗透性、杰出的表面性能和高纯度。这款水性涂料体系由高附着力的底漆和面漆组成，可实现比竞争材料更薄的涂层，从而缩短涂装时间。而且使用常规的液体喷涂设备，即可便捷地在多，种金属表面进行涂装。另外，Halar(R)ECTFE水性涂料的可持续性体现在其低挥发性的有机物质(VOC)和无有害空气污染物(HAP)配方，可满足最严格的规范要求。短期来看，它能够满足客户特定的涂装需求，成功地在拥有众多复杂结构的新款设备上涂覆，这是传统粉末涂料无法实现的。长期来看，这种可持续性材料可以保持和发挥Halar(R)ECTFE粉末涂料的杰出性能，有助于SWI拓展新市场和应用领域。SWI的一家半导体设备生产商客户重新设计了包含多个小径孔、眼、通道和O形环槽的不同零部件，这些零部件不同部位的厚度必须均匀一致。尽管SWI曾使用Halar(R)ECTFE粉末涂料涂装过前几代设备，但形状非常复杂的新设备很难采用静电粉末涂料获得厚薄一致的涂层。虽然用机加工的方式可以使粉末涂料的涂层变薄，但需要额外的配备、时间和成本。新型Halar@ECTFE水性涂料体系通过在铝合金基材上形成牢固而均匀的附着，很好地解决了这一问题，并成功通过了5000伏直流电的电火花测试，证明涂装表面无针孔缺陷。

摘要： 本文成功研发了一种colloidal lithography表面patterning的方法，将分布于空气-水界面上的单分子层六边形颗粒pattern成功转移至硅晶片。直径100-750 nm的二氧化硅颗粒先在空气-水界面形成六边形非连续pattern(HNCP)，然后用一表面长有聚合物刷的硅晶片吸附转移。转移时在硅晶片表面上会不可避免的带有一层薄薄的水，在水干燥过程中会产生对pattern破坏性的毛细管力。聚合物刷与颗粒间形成粘附，从而克服上述毛细管力，保持颗粒的良好pattern。我们研究了几个影响pattern保持order的重要因素，如聚合物刷的厚度、聚合物刷的组成、颗粒间距和颗粒尺寸。

摘要： 本为恩通过自制纳米CeO2超细粉体,并配制成抛光液对硅片进行化学机械抛光,研究了纳米CeO2抛光料对硅片的抛光效果,解释了纳米级抛光料的化学机械抛光原理.实验结果表明:由于纳米抛光料粒径小,切削深度小,故材料去除采用塑性流动方式.使用纳米CeO2抛光料最终在1μm的范围内达到了微观表面粗糙度Ra为0.124nm的超光滑表面,满足了产品的要求.

摘要： 为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光试验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nacol2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40﹪(14微米/小时VS10微米/小时);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.

摘要： 线切割作为硅晶体加工的首道工序,其加工质量严重影响着晶片的后续加工量和加工成本.随着晶片薄型化发展,切片厚度逐渐减小,然而,晶片厚度减小,导致晶片强度降低,晶片破片率急剧增加.影响晶片破碎的两个主要因素是晶片的应力状态和晶片中的损伤情况.本文针对线锯切割过程中晶片振动问题，根据弹性薄板理论并结合有限积分变换法，建立了锯切过程晶片振动的数值计算模型，分析了锯切过程晶片的自由振动和受迫振动问题。建立的数值模型对于优化锯切工艺参数，降低晶片破碎率，增加晶片产量是十分有益的。

摘要： 线切割作为硅晶体加工的首道工序,其加工质量严重影响着晶片的后续加工量和加工成本.随着晶片薄型化发展,切片厚度逐渐减小,然而,晶片厚度减小,导致晶片强度降低,晶片破片率急剧增加.影响晶片破碎的两个主要因素是晶片的应力状态和晶片中的损伤情况.本文针对线锯切割过程中晶片振动问题，根据弹性薄板理论并结合有限积分变换法，建立了锯切过程晶片振动的数值计算模型，分析了锯切过程晶片的自由振动和受迫振动问题。建立的数值模型对于优化锯切工艺参数，降低晶片破碎率，增加晶片产量是十分有益的。

摘要： 线切割作为硅晶体加工的首道工序,其加工质量严重影响着晶片的后续加工量和加工成本.随着晶片薄型化发展,切片厚度逐渐减小,然而,晶片厚度减小,导致晶片强度降低,晶片破片率急剧增加.影响晶片破碎的两个主要因素是晶片的应力状态和晶片中的损伤情况.本文针对线锯切割过程中晶片振动问题，根据弹性薄板理论并结合有限积分变换法，建立了锯切过程晶片振动的数值计算模型，分析了锯切过程晶片的自由振动和受迫振动问题。建立的数值模型对于优化锯切工艺参数，降低晶片破碎率，增加晶片产量是十分有益的。

摘要： 线切割作为硅晶体加工的首道工序,其加工质量严重影响着晶片的后续加工量和加工成本.随着晶片薄型化发展,切片厚度逐渐减小,然而,晶片厚度减小,导致晶片强度降低,晶片破片率急剧增加.影响晶片破碎的两个主要因素是晶片的应力状态和晶片中的损伤情况.本文针对线锯切割过程中晶片振动问题，根据弹性薄板理论并结合有限积分变换法，建立了锯切过程晶片振动的数值计算模型，分析了锯切过程晶片的自由振动和受迫振动问题。建立的数值模型对于优化锯切工艺参数，降低晶片破碎率，增加晶片产量是十分有益的。

摘要： 本发明涉及用于生产单晶硅半导体晶片的方法、用于进行该方法的设备以及包含氧和至少一种n型掺杂剂的单晶硅半导体晶片。所述方法包括在石英坩埚中提供包含n型掺杂剂的硅熔体，其中所述熔体具有初始高度hM；通过向具有初始高度hm的所述熔体的上部体积选择性地供应热来从侧面加热所述熔体，其中所述高度hm小于所述高度hM；通过CZ法以拉制速度V从所述熔体拉制硅单晶；从所述生长的单晶和所述熔体之间的相界区域的上方加热所述熔体；从所述熔体的表面区域的上方加热所述熔体；使所述熔体经受磁场；用p型掺杂剂反掺杂所述熔体；和从所述单晶分离所述单晶硅半导体晶片。

摘要： 本发明提供一种硅试样的碳浓度评价方法，其包括：在作为评价对象的硅试样的表面的至少一部分形成氧化膜；向所述氧化膜的表面照射粒子束；向照射了所述粒子束的氧化膜的表面照射具有比硅的带隙大的能量的激发光；测定从照射了所述激发光的作为评价对象的硅试样发出的光致发光的强度；以及基于测定出的光致发光的强度，评价作为评价对象的硅试样的碳浓度，所述光致发光是硅的带边发光。

摘要： 本发明涉及用于生产单晶硅半导体晶片的方法、用于进行该方法的设备以及包含氧和至少一种n型掺杂剂的单晶硅半导体晶片。所述方法包括在石英坩埚中提供包含n型掺杂剂的硅熔体，其中所述熔体具有初始高度hM；通过向具有初始高度hm的所述熔体的上部体积选择性地供应热来从侧面加热所述熔体，其中所述高度hm小于所述高度hM；通过CZ法以拉制速度V从所述熔体拉制硅单晶；从所述生长的单晶和所述熔体之间的相界区域的上方加热所述熔体；从所述熔体的表面区域的上方加热所述熔体；使所述熔体经受磁场；用p型掺杂剂反掺杂所述熔体；和从所述单晶分离所述单晶硅半导体晶片。

摘要： 本发明提供一种硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法，其对于根据利用切克劳斯基法培养的单晶硅块制造的硅晶片，在氧气分压为20％以上且100％以下的氧化性气体气氛中，以1300°C以上且1380°C以下的最高到达温度(T1)，进行快速加热和快速冷却热处理。本发明的硅晶片在硅晶片(10)的至少包含器件活性区域的无缺陷区域(DZ层)(12)内具有固溶氧浓度为0.7×1018原子/cm3以上的高氧浓度区域，且在无缺陷区域(12)内以过饱和状态含有晶格间硅(14)。

摘要： 本发明提供一种硅晶片的评价方法，其包括：第一判定，利用光散射式表面检查装置检查作为评价对象的硅晶片的表面，判定是否存在异常对象；以及第二判定，利用原子力显微镜观察在作为评价对象的硅晶片的表面中在第一判定中未确认到异常对象存在的区域，判定是否存在异常对象。

摘要： 提供在短时间热处理和长时间热处理中均可应用的高精度的硅晶片的热施主生成行为预测方法、利用该预测方法的硅晶片的评价方法和利用该评价方法的硅晶片的制备方法。本发明的硅晶片的热施主生成行为预测方法包括：第1工序，在基于通过间隙氧的扩散的氧簇的结合解离模型和通过氧二聚体的扩散的氧簇的结合模型这两者的反应速度式中，设定对硅晶片进行热处理前的初始氧浓度条件；第2工序，利用所述反应速度式，计算在接受所述热处理时生成的氧簇生成速度；和第3工序，基于所述氧簇生成速度，计算在接受所述热处理时生成的热施主生成速度。

摘要： 本发明提供一种单晶硅晶片的制造方法，其特征在于至少包含以下工序：准备单晶硅晶棒的工序；将该单晶硅晶棒切片而制造出多片切片基板的工序；对该多片切片基板进行抛光、蚀刻、研磨之中的至少1种而加工成多片基板的加工工序；从该多片基板抽取至少1片的工序；使用原子力显微镜测定在该抽取工序中所抽取的基板的表面粗糙度，求取对应波长20纳米～50纳米的频带的振幅即强度，且判定是否合格的工序；若所述判定为合格时送至下个工序，若不合格时实行再加工的工序。由此，能提供单晶硅晶片及其制造方法，即便栅极氧化膜的厚度薄至数纳米时，氧化膜耐压也无劣化；提供一种评价方法，相较于时间相依介电崩溃法等，能容易评价氧化膜耐压无劣化。

摘要： 本发明提供一种硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法，其对于根据利用切克劳斯基法培养的单晶硅块制造的硅晶片，在氧气分压为20％以上且100％以下的氧化性气体气氛中，以1300°C以上且1380°C以下的最高到达温度(T1)，进行快速加热和快速冷却热处理。本发明的硅晶片在硅晶片(10)的至少包含器件活性区域的无缺陷区域(DZ层)(12)内具有固溶氧浓度为0.7×1018原子/cm3以上的高氧浓度区域，且在无缺陷区域(12)内以过饱和状态含有晶格间硅(14)。

摘要： 本发明涉及n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片。本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其利用提拉法从包含红磷作为主要掺杂剂的硅熔液提拉单晶硅并使其生长，在该制造方法中，将单晶硅的直体部开始位置中的电阻率控制为0.80mΩcm以上且1.05mΩcm以下，之后，随着提拉单晶硅并使其生长，逐渐降低单晶硅的电阻率，将单晶硅的一部分的电阻率设为0.5mΩcm以上且小于0.6mΩcm。

摘要： 本发明涉及n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片。本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其通过提拉法，从含有红磷作为主要掺杂剂的硅熔液(9)中提拉单晶硅(10)并使其生长，所述n型单晶硅的制造方法中，使用内径为单晶硅(10)的直体直径的1.7倍以上且2.3倍以下的石英坩埚(3A)，进行电阻率为0.5mΩcm以上且1.0mΩcm以下的单晶硅(10)的提拉。