4H-SiC肖特基二极管γ射线探测器的模型与分析

摘要

在研究反偏压4H-SiC肖特基二极管作为γ射线探测器工作机理的基础上建立了数值模型,模拟了不同偏压和辐照剂量率下探测器的暗电流、工作电流和灵敏度.模拟结果表明:探测器的灵敏度随反向偏压的增加而上升;对于Au/SiC肖特基二极管,有源区掺杂数密度为2.2×1015 cm-3时,0 V偏压下探测器的灵敏度为13.9×10-9 C/Gy,100 V偏压下为24.5×10-9 C/Gy.计算结果与实验数据符合得较好.