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韩艳玲; 陈玉辉; 韩丽芳; 黄宇阳; 邓文;
广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁530004;
半导体Si; 掺硼; 掺碳; 微观缺陷; 正电子湮没;
机译:烧结温度对碳纤维增强碳化硅基复合材料BaO-Al2O3-SiO2玻璃陶瓷涂层的影响
机译:烧结温度对碳纤维增强碳化硅基复合材料BaO-Al_2O_3-SiO_2玻璃陶瓷涂层的影响
机译:粉末微观缺陷对VIA通过火花等离子烧结致致密化和力学性能的影响
机译:宏观和微观缺陷对多孔金属纤维烧结板力学性能的影响
机译:饮食中微量元素水平和热环境温度对霍尔斯坦乳牛的微量元素营养的影响
机译:烧结温度和TiH2的添加对Cu烧结过程的影响
机译:烧结Cu掺杂Ni-Zn铁氧体中ZnO和CuO晶体析出。 II。烧结温度和烧结时间的影响
机译:界面剪切强度对siC纤维增强反应烧结氮化硅基复合材料力学性能的影响
机译:生产有用的例如碳化硅基陶瓷烧结体。用于制造半导体的方法,包括在惰性气体气氛中烧结粉末体,并在含氮气氛中进行气压烧结
机译:氮化硅烧结体,氮化硅基板,氮化硅电路板使用氮化硅基板和半导体器件
机译:氮化硅粉末烧结硅氮化物烧结氮化硅基质和电路板以及包含这种烧结氮化硅基质的热电元件模块
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